甬矽半導體申請半導體器件相關專利，保證半導體器件之間電連接的可靠性

金融界2024年11月4日消息，國家知識產權局信息顯示，甬矽半導體（寧波）有限公司申請一項名爲“半導體器件、疊層結構及半導體封裝方法”的專利，公開號CN 118888536 A，申請日期爲2024年7月。

專利摘要顯示，本申請提供一種半導體器件、疊層結構及半導體封裝方法，涉及半導體封裝技術領域。該半導體器件包括基板設置在基板的第一表面上的芯片和第一導電凸起，以及設置在基板的第二表面上的第二導電凸起，第二表面與第一表面相對，第一導電凸起包括導電部以及包裹在導電部外表面的保護部，導電部背離基板的一側露出於保護部，導電部的露出部分用於與另一半導體器件的第二導電凸起連接。該半導體器件中的第一導電凸起採用保護部包裹導電部的結構，當半導體器件翹曲較大，第一導電凸起的數量爲多個時，多個第一導電凸起在高度方向上具有很好的一致性，能夠保證半導體器件之間電連接的可靠性。

本文源自：金融界

作者：情報員