無錫華潤安盛申請半導體結構及製造方法專利，提供一種半導體結構及製造方法

金融界2025年1月31日消息，國家知識產權局信息顯示，無錫華潤安盛科技有限公司申請一項名爲“半導體結構及半導體結構的製造方法”的專利，公開號CN 119381377 A，申請日期爲2023年7月。

專利摘要顯示，本申請提供一種半導體結構及半導體結構的製造方法。所述半導體結構包括芯片、電氣連接件、多個鍵合線、絕緣部及塑封層。所述芯片正面設有多個焊墊。所述電氣連接件包括承載部及位於所述承載部側部的多個引腳；所述芯片貼裝在所述承載部的一側，且所述芯片背面朝向所述承載部。所述鍵合線將所述焊墊與所述引腳電連接，或者將兩個所述焊墊電連接；所述多個鍵合線包括第一鍵合線和第二鍵合線，所述第一鍵合線與所述第二鍵合線相鄰。所述絕緣部包覆所述第一鍵合線與所述第二鍵合線的至少一個的至少部分。所述塑封層包封所述芯片、所述電氣連接件、所述絕緣部及所述鍵合線；且所述引腳的至少部分露出所述塑封層。

天眼查資料顯示，無錫華潤安盛科技有限公司，成立於2003年，位於無錫市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本40000萬人民幣，實繳資本40000萬人民幣。通過天眼查大數據分析，無錫華潤安盛科技有限公司參與招投標項目537次，知識產權方面有商標信息3條，專利信息207條，此外企業還擁有行政許可31個。

本文源自：金融界

作者：情報員