無錫華潤安盛申請半導體結構及製造方法專利，提供半導體結構新方案

金融界 2025 年 1 月 31 日消息，國家知識產權局信息顯示，無錫華潤安盛科技有限公司申請一項名爲“半導體結構及半導體結構的製造方法”的專利，公開號 CN 119381376 A，申請日期爲 2023 年 7 月。

專利摘要顯示，本申請提供一種半導體結構及半導體結構的製造方法。所述半導體結構包括引線框、第一芯片、第二芯片、導電連接部及塑封層。引線框包括並列設置的第一基島和第二基島。第一芯片貼裝在第一基島上。第一芯片包括第一表面和與第一表面相對的第二表面，第一表面設有第一電極，第二表面設有第二電極，第一電極與第一基島電連接。第二芯片貼裝在第二基島上。第二芯片包括第三表面和與第三表面相對的第四表面，第三表面設有第三電極，第四表面設有第四電極，第三電極與第二基島電連接。導電連接部位於第二表面和第四表面，分別與第二電極及第四電極電連接。塑封層包封引線框、第一芯片、第二芯片及導電連接部，且導電連接部背離引線框的表面露出塑封層。

天眼查資料顯示，無錫華潤安盛科技有限公司，成立於2003年，位於無錫市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本40000萬人民幣，實繳資本40000萬人民幣。通過天眼查大數據分析，無錫華潤安盛科技有限公司參與招投標項目537次，知識產權方面有商標信息3條，專利信息207條，此外企業還擁有行政許可31個。

本文源自：金融界

作者：情報員