大摩：HBM市場分散化、AI投資達高峰 明年恐供過於求

外資摩根士丹利唱衰當紅的高頻寬記憶體（HBM）後市。圖爲三星的36GB HBM3E。 美聯社

外資摩根士丹利最新報告開出進看壞DRAM市況的第一槍之際，同步唱衰當紅的高頻寬記憶體（HBM）後市，預期隨着市場分散化以及AI領域投資達到高峰，明年HBM市場可能供過於求。惟記憶體業者普遍不認同大摩的觀點，認爲HBM市場一路旺到2025年無虞。

大摩的觀點是，每家記憶體廠都在根據HBM產出的最佳可能情況進行生產，將全球原本用於生產DRAM的15%產能轉換至生產HBM，這隻需要少量的資本投資，預估僅不到2024年DRAM晶圓製造設備的10%，然而，如果按這個計劃進行，HBM產能可能會面臨過剩。

大摩直言，現階段業界良好的HBM供應狀態，2025年時，恐面臨實際產出可能會逐漸趕上、甚至超過當前被高估的需求量。一旦上述問題浮現，導致HBM供過於求，記憶體廠可把產能挪回製造DDR5，並閒置一小部分後端設備。

目前全球HBM主要由SK海力士、三星、美光等三家國外大廠供應，臺廠並未涉入HBM製造。相較於大摩看壞HBM市場發展，SK海力士、三星仍力挺HBM後市。

三星、SK海力士本月初來臺參加國際半導體展（SEMICON Taiwan 2024），當時兩大廠即同步釋出對HBM後市正向看待的觀點，並積極推出最新產品，且不約而同強調將強化與其他晶圓廠合作。

三星並推估，HBM市場規模今年將達到16億Gb，相當於2016年到2023年加起來再乘以兩倍的數字，顯現HBM市場爆發力強勁，看好AI將帶動DRAM市場蓬勃發展。爲此，三星下世代MCRDIMM也已經準備好將在年底量產，並推出32Gb DDR5。