封裝密度要求持續提高 晶片互連朝混合鍵合技術發展

互連（interconnect）技術是晶片間的溝通橋樑，從傳統的打線（wire bond）、覆晶封裝、微凸塊（μbump）到直通矽晶穿孔（Through Silicon Via；TSV）、重佈線層（Redistribution Layer；RDL）、矽橋晶片（silicon bridge chip）等，滿足晶片效能持續提升需求；因應晶片朝更高密度整合趨勢，混合鍵合（hybrid bonding）將成新方案。

打線封裝、覆晶封裝雖是目前市場上IC主流互連技術，但在電子裝置體積與功能要求及晶片朝更高效能發展下，2.5D封裝所需的互連技術轉向以TSV、RDL爲主，而矽橋晶片則是相對新興的互連解決方案。多數IDM、晶圓代工與委外半導體封測業者（OSAT）均已佈局TSV、RDL技術，而英特爾、臺積電、矽品則另有矽橋晶片解決方案。

DIGITIMES Research分析師陳澤嘉表示，由於高效能運算（HPC）晶片對效能、封裝密度要求持續提升，微凸塊技術雖可實現HPC晶片3D封裝需求，但面對更高I/O數、更低功耗的發展趨勢下，混合鍵合技術因可進一步縮小鍵合間距（bond pitch），提高I/O密度、頻寬密度（bandwidth density）、降低功耗等優點，可望成爲未來HPC晶片互連的新方案，吸引包含英特爾、臺積電與格芯（GlobalFoundries）等業者投入混合鍵合技術開發。