江西兆馳半導體申請 GaN 基 LED 外延片及製備方法專利，顯著提高有源區中光子逸出體材料佔比

金融界 2025 年 1 月 25 日消息，國家知識產權局信息顯示，江西兆馳半導體有限公司申請一項名爲“GaN 基 LED 外延片及製備方法”的專利，公開號 CN 119342951 A，申請日期爲 2024 年 10 月。

專利摘要顯示，本發明涉及 LED 外延片技術領域，公開了一種 GaN 基 LED 外延片及其製備方法，包括：襯底、緩衝層、N 型半導體層、應力釋放層、多量子阱發光層、電子阻擋層和 P 型半導體層；其中，所述 N 型半導體層依次包括：第一多孔低溫 GaN 層、第二多孔 AlGaN/GaN 超晶格層、第三高溫 GaN 層、第四多孔 AlGaN/GaN 超晶格層、第五高溫 GaN 層。採用本發明，可減少外延材料在生長過程中缺陷的產生，降低材料的 位錯密度，顯著改善外延片材料的質量，從而提高發光二極管有源區中的輻射覆合效率，同時能夠顯著提高有源區中光子逸出體材料的佔比。

天眼查資料顯示，江西兆馳半導體有限公司，成立於2017年，位於南昌市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本160000萬人民幣，實繳資本160000萬人民幣。通過天眼查大數據分析，江西兆馳半導體有限公司共對外投資了1家企業，參與招投標項目19次，知識產權方面有商標信息2條，專利信息1380條，此外企業還擁有行政許可59個。

本文源自：金融界

作者：情報員