杭州富芯申請封裝結構及其製作方法專利，能夠提高芯片的封裝良率

金融界2025年1月25日消息，國家知識產權局信息顯示，杭州富芯半導體有限公司申請一項名爲“封裝結構及其製作方法”的專利，公開號CN 119340201 A，申請日期爲2024年10月。

專利摘要顯示，本發明提供一種封裝結構及其製作方法，所述方法包括：提供器件晶圓，至少包括襯底、金屬層與鈍化層，鈍化層中形成有第一通孔，第一通孔側壁的底部具有側掏區域；形成第一光刻膠層，填滿側掏區域，覆蓋第一通孔的側壁、底部以及鈍化層的頂部；圖形化第一光刻膠層暴露出第一通孔底部的部分金屬層；形成籽晶層，覆蓋圖形化的第一光刻膠層以及金屬層；形成第二光刻膠層，填滿第一通孔並覆蓋籽晶層；圖形化第二光刻膠層，暴露出第一通孔底部的部分籽晶層。本發明通過圖形化的第一光刻膠層填充側掏區域，並覆蓋第一通孔的側壁，使得鈍化層的側掏形貌得到了解決，能夠形成連續且均勻的籽晶層，避免後續電鍍銅工藝的失效，提高芯片的封裝良率。

天眼查資料顯示，杭州富芯半導體有限公司，成立於2019年，位於杭州市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本945000萬人民幣，實繳資本895000萬人民幣。通過天眼查大數據分析，杭州富芯半導體有限公司參與招投標項目23次，知識產權方面有商標信息15條，專利信息238條，此外企業還擁有行政許可16個。

本文源自：金融界

作者：情報員