芯盟科技申請封裝結構及其形成方法專利，有效提升封裝結構散熱效率

金融界2024年11月4日消息，國家知識產權局信息顯示，芯盟科技有限公司申請一項名爲“封裝結構及其形成方法”的專利，公開號 CN 118888525 A，申請日期爲2024年7月。

專利摘要顯示，一種封裝結構及其形成方法，其中封裝結構包括：流道結構，所述流道結構內具有第一液體流道和若干插塞通孔；至少1個芯片結構，所述芯片結構與所述流道結構鍵合連接；填充於所述插塞通孔內的導電插塞，若干所述導電插塞分別與所述芯片結構電連接。通過所述第一液體流道能夠將冷卻液體引入至封裝結構中，利用所述第一液體流道內的冷卻液體進行導熱，能夠有效提升封裝結構的散熱效率，解決了高性能大功耗芯片的散熱問題。

本文源自：金融界

作者：情報員