合肥阿基米德申請寬禁帶半導體功率MOS芯片及其製備方法專利，實現對MOS芯片的溫度監測

金融界2025年1月25日消息，國家知識產權局信息顯示，合肥阿基米德電子科技有限公司申請一項名爲“一種寬禁帶半導體功率MOS芯片及其製備方法”的專利，公開號 CN 119342863 A，申請日期爲2024年10月。

專利摘要顯示，本發明屬於功率半導體器件技術領域，提供了寬禁帶半導體功率MOS芯片及其製備方法。本發明採用受力產生電信號的材料(簡稱力電材料)在寬禁帶半導體功率MOS芯片(簡稱MOS芯片)上設置了結溫檢測區：如果對力電材料施加壓力，它便會產生電位差，反之施加電壓，則產生機械應力，即力電材料能夠將力轉換成電信號；壓力的來源：MOS芯片工作時，溫度會升高，由於MOS芯片各材料之間的熱膨脹係數不同，熱膨脹會導致力電材料受到力，進而在力電材料兩極產生電位差，最終實現對MOS芯片的溫度監測。本發明結溫檢測區中的力電材料能夠感知整個MOS芯片的力相互作用而產生的溫度變化。

天眼查資料顯示，合肥阿基米德電子科技有限公司，成立於2021年，位於合肥市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本10000萬人民幣，實繳資本10000萬人民幣。通過天眼查大數據分析，合肥阿基米德電子科技有限公司參與招投標項目3次，知識產權方面有商標信息6條，專利信息23條，此外企業還擁有行政許可7個。

本文源自：金融界

作者：情報員